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折頁機 80F4-844
發布時間:2021-04-07 10:44:42

二、多傳的體多傳的體制電氣事理圖時有需求使用色愛綜合網歐美Avg>YINYINWANG國度軌則的電工圖形标識表記标幟和翰墨标識表記标幟畫圖。

FETQA和QB導通和斷開轉換過渡變态類另之間的遲誤(tDelay)會使同步FETQE和QF同時斷開,感器構散從而承諾其主體二極管實驗上述導電動作。級别劃定計較電機源在20%額歐洲美圖外負載情況下必需有90%的依從,交融50%額外負載時依從必需抵達94% ,而在100%負載時依從必需抵達91%。

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圖1同步整流改外型相移、系結全橋接轉換器成績經由過程遲誤H橋接(QA、系結QB、QC、QD)的FET導通,PWM哄騙器有助于在這些轉換器中完成ZVS。五月色 站圖中,布式在OUT咪米網圖片A和OUTB之間的遲誤時辰(tDelay)期間可以視察到主體二極管導電。以下方程式較好地預算了續流期間QE和QF的主體二極管傳導生産個中POUT為輸出功率 ,齊集VOUT為輸出電壓 ,VD為主體二極管的正向壓降,而fs為電感開關頻次。

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V1為LOUT和COUT濾波器采集輸出的電壓,式和式而VQEd和VQFd為呼應同步整流器QE和QF的電壓。要做到這一點,殽雜必需經由過程其自有輸進去驅動FETQE和QF,個中"

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圖2所示轉換器的時序圖操持方案若想镌汰QE和QF主體二極管導電,多傳的體最佳是在QA和QB遲誤期間(tDelay)讓這些同步整流器開啟。

市場上有一些脈寬調制器(PWM),感器構散其方案方針是用于哄騙相移、全橋接轉換器,而非驅動同步整流器(QE和QF)。交融本節重點先容在QL導通時QH體二極管的“反向規複”過程。

系結經由過程注明圖8可以創造這類動作個性的因由原因 。這些測試是在圖1無QH的設置中做的,布式測試前提是VDD=100V,VGS=-5/18V,RGL=4,7?

一樣重大的是,齊集還要思量SiCMOSFET的寄生電容CGS,CDS和CGD,這些參數是漏極-源極電壓VDS的函數[21]。着末,在圖9中講演了測試前提C的UIS測試成績,測試前提C是封裝溫度的函數,用熱電偶丈量封裝溫度數值。

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